射频场效应管模型论文

基于BSIM4的SMIC 0.13um工艺RF MOSFET建模
论文摘要随着高频无线通讯市场的飞速发展,特别是近几年物联网技术的发展,使得射频集成电路的市场需求越来越大,而CMOS工艺尺寸的持续减小使得MOS场效应管特征频率已经超过了100...