![Cd掺杂BZN薄膜的制备和性能研究]()
论文摘要Bi1.5ZnNb1.5O7（BZN）是一种立方焦绿石结构的新型介电材料,具有很低的介电损耗,较高的可调性等特点,而成为一种很有发展前途的微波介质材料。因此,BZN薄膜...
![射频磁控溅射法制备ZrW2O8薄膜及其性能研究]()
论文摘要新型负热膨胀（Negativethermalexpansion，简称NTE）材料ZrW2O8是近年来新材料领域的研究热点之一，由于该材料在0.3K～1050K很宽的温度...
![Si基磁控溅射Ga2O3/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究]()
论文摘要由于纳米半导体表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的一维量子材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001...
![钢基表面射频磁控溅射法制备BN薄膜]()
论文摘要氮化硼（BoronNitride，即BN）由于具有优异的热稳定性、化学惰性、很高的热导率，在高温下也具有良好的润滑性，所以氮化硼薄膜尤其是立方氮化硼薄膜的制备成为近几年...
![LiNbO3/SiO2/Si多层薄膜光致发光性能研究]()
论文摘要本文采用射频磁控溅射法制备了LiNbO3/Si、LiNbO3/SiO2/Si结构薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线小角衍射、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和傅...
![PST陶瓷及薄膜材料研究]()
论文摘要铁电材料在微波可调器件上有着广阔的应用前景，如移相器、谐振器、滤波器等，目前这类材料中研究得最成熟是BaxSr1-xTiO3（BST）及其掺杂系列。而最近，Cross等...
![ZnO/AlN双层膜的制备与性能研究]()
论文摘要ZnO薄膜是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)半导体材料，具有高的激子束缚能(60meV)。它在光电、压电、气敏、压敏等方面性能优异，热稳定性高，目前已在气敏器件、表面...
![氧化锡及其锑掺杂薄膜的制备、结构和光致发光性质研究]()
论文摘要半导体发光器件在各个领域都有着广泛的应用。随着GaN、ZnSe等宽带隙半导体蓝光发光器件的研制成功，宽带隙半导体发光材料越来越受到人们的重视。氧化锡（SnO2）是一种具...
![硼碳氮薄膜的制备及性质研究]()
论文摘要采用射频磁控溅射和射频反应性磁控溅射两种方法制备了硼碳氮薄膜。利用X-射线光电子能谱、傅立叶变换红外光谱（FTIR）、拉曼光谱、X-射线衍射分析（XRD）、原子力显微镜...
![离子注入法与射频溅射法制备光波导的研究]()
论文摘要集成光学器件在实现高速短距离光通讯、宽带光网络、传感器与自动化装置，光学信号处理及光计算中有着重要作用。光波导则是组成集成光路的基本单元。迄今为止，人们已经探索多种方法...
![掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备与特性研究]()
论文摘要透明导电氧化物（TCOs）薄膜在可见光区具有很高的透过率、在红外区具有很高的反射率、并且具有较低的电阻率。因此在太阳能电池、平板显示和有机发光二极管（OLED）等领域得...
![MgZnO薄膜的制备及特性研究]()
论文摘要近几年来，宽禁带半导体材料引起人们的关注，因为这些材料在蓝光及紫外光发光二极管、半导体激光器和紫外光探测器上有重要的应用价值。这些器件在光信息存储、全色显示和紫外光探测...
![SP和TGS型气敏传感器阻-温特性及硅基氧化硅薄膜材料发光机理研究]()
论文摘要随着环境科学的发展及环境检测应用范围的不断扩大,成本低廉、性能良好的气敏传感器的研制已经成为测量领域的热点。气敏材料的气敏特性来源于气体在材料表面的吸附和表面反应过程,...
![硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线的研究]()
论文摘要由于优良的性质及巨大的应用价值,GaN被誉为第三代半导体的典型代表。近年来,GaN的相关领域吸引了越来越多的研究者的目光。GaN是一种宽禁带(Eg=3.39ev),直接...
![RF磁控溅射及LSMCD法制备铁电薄膜的研究]()
论文题目:RF磁控溅射及LSMCD法制备铁电薄膜的研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:樊攀峰导师:张之圣关键词:铁电薄膜,射频磁控溅射,均匀设计,液态源雾...
![硼碳氮薄膜的制备及其光透过性质研究]()
论文题目:硼碳氮薄膜的制备及其光透过性质研究论文类型:博士论文论文专业:光学作者:王玉新导师:冯克成关键词:射频磁控溅射,硼碳氮薄膜,沉积参数,透过率文献来源:长春理工大学发表...
