射线双晶衍射论文

AllnN材料的生长及其紫外LED的研制
论文摘要GaN基材料的禁带宽度从0.7eV-6.2eV连续变化,其对应的辐射波长覆盖了紫外与可见光区域,因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景,其中采用GaN...
GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析
论文摘要X射线双晶衍射法（XRD）能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试...
硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制
论文摘要宽禁带Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、短波长激光器、光探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于GaN体单晶难...