室温铁磁性论文

论文摘要ZnO是一个有着极大潜力的半导体材料,有许多实际方面的应用,如压电式转换器、表面声波器件、光波导管、变阻器、透明导电氧化物、自旋功能器件和紫外光发射器等。室温下的禁带宽...

论文摘要多铁材料在信息储存、自旋电子器件,磁传感器以及电容、电感一体化器件等方面都显示出了潜在的应用前景,而用磁性元素对LiNbO3薄膜的掺杂有望获得铁电铁磁性共存,将形成一种...

论文摘要ZnO基稀磁半导体作为新一代自旋电子器件的制备以及研究探索半导体器件中电荷的自旋的基础材料，对其铁磁性的观测已经极大地引起了人们对自旋电子学的兴趣。自旋电子学为探索半导...

论文摘要近年来,低维材料（如HfO2薄膜、TiO2、In2O3、ZnO（?）CeO2纳米颗粒等）由于其在自旋电子设备中的潜在应用价值而受到广泛关注。Sundaresan等人报道...

论文摘要ZnO材料在室温下的带隙约为3.37eV，激子结合能高达60meV，在紫外发光器件、紫外激光器件、太阳能电池、压电器件等领域的应用前景非常广阔，近年来受到人们的广泛关注...

论文摘要Cr掺杂AlN是一种理论预测的高温稀磁材料,在实验上对其结构与磁性进行系统研究有助于探讨稀磁材料的磁性起源机理,也可以掌握控制其磁性的制备工艺。本文采用直流反应磁控溅射...

论文摘要掺杂氧化物半导体作为稀磁半导体的一种候选材料,其铁磁性的研究在近几年来受到了极大的重视,TiO2基半导体磁性的研究是其中最活跃的课题之一。本文致力于未掺杂、V掺杂和Cr...

论文摘要稀磁半导体（DMS）是实现自旋电子器件的材料基础。借助这种材料可以实现电子自旋的控制、输运和注入。尤其是最近发现的具有室温铁磁性的稀磁性氧化物体系，借助这种材料可以实现...

论文摘要二氧化钛（TiO2）的光诱导特性使其在环境污染物降解、自清洁涂层、光分解水制氢和太阳能电池等环境保护与能源转换领域具有广泛的用途。但受带隙宽度的限制,TiO2的光诱导特...

论文摘要不含未填满d或f壳层的过渡族或稀土族磁性离子材料的室温铁磁性的起源不同于传统的铁磁性物质,成为目前磁学领域研究的热点问题。本文采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波（...

论文摘要实现室温或室温以上的半导体自旋电子学是稀磁性半导体研究发展的重要方向。此外,不含d或f壳层未填满的过渡族或稀土族磁性原子的薄膜材料中的室温铁磁性的起源问题也成为目前磁学...