受主热离化能论文

氮掺杂p型ZnO薄膜材料的制备及光电性质研究
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下其激子束缚能高达60meV，这一特性使ZnO具备了室温下高效率激子发光的有利条件。因此，ZnO已经成...