• 无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术的研究

    无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术的研究

    论文摘要随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现。由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现。只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入...