双沟道论文

AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究
论文摘要III-V族氮化物作为具有广阔应用前景的第三代半导体材料,近年来成为半导体光电子学和微电子学研究的热点。在这些III-V族氮化物中Al1-xInxN材料又成为这些研究中...
新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究
论文摘要SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势。...
实空间转移晶体管的研究
论文摘要提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或其它化合物高速器件集成在一起,构成多种...