双异质结论文

GaN基双异质结特性研究
论文摘要由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随着材料质量和器件工艺的不断进步...
全内反射型光波导开关的研究
论文摘要光开关是光交换等系统中的关键器件,长期以来人们提出了很多种设计方案,但到目前为止还没有哪一种方案各方面的性能都能满足商用要求,因此研制高性能的光开关也就成了工程界急待解...