闩锁论文

SOI LIGBT的优化设计方法研究
论文摘要绝缘栅双极晶体管IGBT（InsulatorGateBipolarTransistor）是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具有功率MOS...
4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
论文摘要电子注入增强型栅极晶体管IEGT（InjectionEnhancementGateTransistor）是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于I...