![闪锌矿InGaN/GaN低维量子结构中电子和光学性质]()
论文摘要在有效质量近似下,本文采用类氢型的试探波函数,运用变分法系统地研究了外电场对闪锌矿InGaN/GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影响。在计算过程中,我们考虑了多量子阱阱...
![二维带负电激子系统的低激发能谱与对称性效应]()
论文摘要对少体系统的深刻理解有助于进一步理解复杂的多体系统,三体系统作为最简单的少体系统,具有非常重要的理论研究价值。同时,由于少体系统在量子功能器件中潜在的巨大应用价值,使其...
![方形量子阱线中中性施主束缚激子（D～0，X）体系的性质]()
论文摘要在有效质量近似下,选用了三个变分参数的波函数,利用变分法数值计算了无限深方形量子阱线中中性施主束缚激子体系(D~0,X)的束缚能。整个计算中库仑作用项完全采用三维形式,...
![电场下方形量子线中的激子态]()
论文摘要近三十年来,半导体量子阱和量子线中的激子态引起人们很大兴趣。在垂直于量子阱平面的方向加电场可以显著地改变半导体量子阱结构的光学性质(如吸收,反射,光致发光等),这种效应...
![无限深GaAs量子阱线中双激子的性质]()
论文摘要本文在有效质量近似下,采用一维等效势模型,选取数学形式简单、物理意义明确的两变分参数的波函数,利用变分法数值计算了无限深GaAs矩形量子阱线中双激子体系的基态束缚能随阱...
![Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究]()
论文摘要随着大规模集成电路的迅速发展,器件的横向和纵向尺寸不断缩小。根据半导体工业协会（SIA）公布的信息,当器件的特征尺寸为0.18μm时,其结深应为54±18nm;而对于0...
