• IV-VI族半导体低维结构的光学性质研究

    IV-VI族半导体低维结构的光学性质研究

    论文摘要Ⅳ-Ⅵ族半导体材料如PbSe和PbTe等具有许多独特的物理性质:窄的直接带隙(-0.3eV),对称的能带结构,重空穴带的缺失,以及低的俄歇复合率等,使其在中红外(波长范...