隧穿电流论文
![高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究]()
高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究
论文摘要在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一种新型的高κ材料来代替传统的SiO2栅介质...![深亚微米CMOS器件中栅氧化层的经时击穿行为（TDDB）及其机理研究]()
深亚微米CMOS器件中栅氧化层的经时击穿行为（TDDB）及其机理研究
论文摘要本论文的主要目的是通过研究深亚微米集成电路器件中栅氧化层可靠性,利用笔者所在公司不同技术代工艺制造的器件深入探讨栅氧的经时击穿行为(TDDB)及其损伤机理,从而探索器件...![超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究]()
超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
论文摘要栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代...![六棱管状ZnO薄膜的电学特性研究]()
六棱管状ZnO薄膜的电学特性研究
论文摘要ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光学、光电和电子输运等性质,在发光器件、激光器、压电传感器、气敏传感器、光电导、光波导、透明导电薄膜、表面及体声学波器件以...![高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究]()
高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究
论文摘要随着金属氧化物半导体（MOS）器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采用高介电常数（高k）栅介质代替SiO2...
