碳化硅论文

论文摘要固体火箭发动机燃烧室中温度高达3000℃以上,因此要求绝热材料具备好的耐高温、抗烧蚀性能。硅橡胶基绝热材料具有良好的高温抗氧化和耐烧蚀能力,是一种先进的高性能绝热材料。...

论文摘要具有大孔结构的碳化硅陶瓷不仅可以在较严苛的环境下用作气体、液体（如熔融金属）、固体颗粒的过滤材料,用于催化剂或吸附剂载体和物理与化学传感器等,还可以用于制备三维网络Si...

论文摘要近年来,随着基于硅材料半导体工艺和器件设计技术的不断完善,硅功率器件的发展将达到材料的理论极限值。但是,随着我国特高压直流输电工程的快速发展,输电电压等级要求越来越高,...

论文摘要室温冷凝浇注成型工艺和传统的水基冷冻干燥成型工艺相比具有操作简单、无需专门的冷冻设备等优点。本文采用全碳原料，通过室温冷凝浇注成型工艺制备出多孔碳坯体，再经过液相渗硅，...

论文摘要由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射性等优良的性能,使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境,因此碳化硅功率半导体器件...

论文摘要近年来,随着光伏产业以及通信产业的发展,大量硅材料的使用,致使多晶硅需求量的飞速增长。虽然生产工艺不断地改进,但是在生产过程中的浪费量依然十分巨大。整个单晶硅的加工工艺...

论文摘要耐磨材料因自身具备独特的功能性,现已发展成为新型材料领域中的一支主力军。而表面改性技术已经成为提高工程构件耐磨抗蚀性的有效手段。其中快速发展起来采用电镀制备耐磨复合镀层...

论文摘要SiC材料的优越性能与PiN结构的结合是现今开关二极管发展的研究热点。少子寿命是PiN二极管的重要参数,对二极管的正向导通电压,开关时间等都有着重要影响。少子寿命控制技...

论文摘要碳化硅具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大等优异的电学性能,正展现出巨大的发展潜力和广阔的市场前景,因此近年来对碳化硅的研究非常热门。本文以碳化硅为研究对象,运用分...

论文摘要由于碳化硅晶体的优点,其已成为第三代半导体材料,制成的器件和电路具有在国防安全、航空航天、汽车、石油钻探等工业技术的特殊环境下应用的前景。碳化硅晶体虽然具备诸多优点,但...

论文摘要碳化硅是继硅、锗、砷之后发展起来的第三代半导体材料。其具有比刚度高、热稳定性好等优点,已经成为制作高精度空间反射镜的首选材料,在空间光学和电子学领域以及微结构模具加工方...

论文摘要纳米材料是纳米科学与技术的基础,它具有新颖的物理、化学和生物特性,目前在信息存储、光电装置、催化和传感器等许多领域发挥着越来越重要的作用,也一直是科学工作者的研究热点。...

论文摘要航空航天相机在经济建设和国防中发挥了越来越重要的作用，在地形测绘、资源调查、道路建设以及水利和农业规划等诸多领域得到了广泛的应用。获得的图像能够为城市规划与建设提供依据...

论文摘要SiC陶瓷具有高温强度大、耐磨损性好、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，被广泛应用于精密轴承、热交换器部件及原子核反应堆材料等。但由于SiC的共价键很强，导致其高...

论文摘要高温恶劣条件下的压力测量正逐步受到人们的重视。碳化硅是最有希望应用于这方面的第三代宽禁带半导体材料。它具有耐高温、耐压高和抗辐射的特点，特别适用于制作高温压力传感器。国...

论文摘要本论文首先综述了纳米材料的结构、性质、应用及制备方法,重点阐述了纳米结构碳化硅及碳材料的研究进展及发展趋势。在对碳化硅及碳材料的制备、应用等方面的发展现状进行了充分调研...

论文摘要碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一种宽禁带、高热导率、大击穿电场和高饱和速率、小介电常数的半导体材料,非常适合于制造耐高温、大功率、高频电子和光电子器件...

论文摘要随着微电子技术的发展,传统基于Si和GaAs半导体材料器件由于本身结构和特性,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性。其中SiC材料以其特有的大禁带宽度、高...

论文摘要导热高分子材料具有良好的导热性和优异的绝缘性,对于提高高频电子元器件的散热、精度及延长寿命具有愈来愈重要的作用。本文主要以线性低密度聚乙烯（LLDPE）为基体材料,三种...

论文摘要SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场(硅的10倍)、高热导率(硅的3.3倍)、高载流子饱和漂移速率(硅的2.5倍)等优点,所以在高频、大功率、抗辐射、抗腐蚀、耐高温、低...