![高亮度LED晶圆紫外激光划片技术研究]()
论文摘要蓝宝石和碳化硅等材料是当今主流的用于Ⅲ-Ⅴ价半导体（氮化镓、砷化镓等）外延生长的基体材料。使用它们可以制造出许多高性能的光电器件,如高亮度发光二极管（LED）等。然而,...
![有机溶剂热分解法碳化硅纳米电缆合成与性能研究]()
论文摘要碳化硅（SiC）半导体材料是继第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（Ge、S、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料,,具有间接宽禁带、大的击...
![碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备及性能研究]()
论文摘要本文采用熔剂保护法,以金属镁为基体,以尺寸5~10μm的碳化硅颗粒为增强相,制备了碳化硅颗粒增强的镁基复合材料。研究了各种制备条件对复合材料微观组织及性能的影响。实验得...
![激光诱导相分离制备圆盘状纳米结构]()
论文摘要本文将脉冲激光液相烧蚀法和物质的相分离相结合,提出一种制备圆盘状纳米结构的新方法,成功制备出硅纳米圆盘和碳化硅纳米圆盘,并对纳米圆盘的形成机制做了相关研究,主要内容如下...
![基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究]()
论文摘要SiC是一种宽带隙半导体材料,具有带隙宽、临界击穿场强高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功率半导体器件的首选材料,在微电子学领域具有广阔的应用前景。由于Si...
![SiC表面ECR氢等离子体处理研究]()
论文摘要SiC是第三代半导体材料，由于其禁带宽度大、热传导率高、热稳定性好，在高温、高频、大功率电子器件领域将会得到广泛的应用。但是SiC晶片表面存在很高的表面念，不利于制备良...
![聚碳硅烷交联—成型—热解合成三维碳化硅陶瓷]()
论文摘要碳化硅陶瓷（SiC）具有高熔点、高硬度、高弹性模量、低热膨胀系数,广泛应用于高温部件、轴承以及抗腐蚀材料等方面。制备SiC陶瓷的传统方法是以SiC粉为原料,加入氧化物烧...
![超高压高温烧结SiC研究]()
论文摘要碳化硅陶瓷具有高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数小、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,因此,在很多领域得到广泛应用。然而,SiC是一种共价键性很强的化合...
![碳化硅镜面材料的磁流变抛光工艺研究]()
论文摘要现代光学制造业的迅猛发展已经成为军事、航天、电子等领域的迫切需求,越来越多的光学元件广泛应用于与这些领域相关的复杂系统中,提高光学元件的超精密加工能力,寻求适合光学材料...
![双重加热法合成碳化硅晶片的研究]()
论文摘要碳化硅晶片具有晶相完整性好、缺陷少、对环境污染小等特点,是理想的碳化硅晶须替代材料。目前碳化硅晶片的生产主要采用常规加热设备,但存在能耗大、成本高、产率低等问题。本文在...
![宽带隙半导体（ZnO，SiC）材料的制备及其光电性能研究]()
论文摘要在半导体材料的发展中,一般将Si,Ge称为第一代电子材料,GaAs,InP,GaP,InAs,AlAs等称为第二代电子材料,而将宽带隙高温半导体ZnO,SiC,GaN,...
![SiC MOS器件和电路温度特性的研究]()
论文摘要宽带隙半导体材料SiC因其高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。而以MOS技术为基础的SiC金属...
![碳化硅等含硅纳米材料的溶剂热合成]()
论文摘要SiC半导体材料是第三代宽带隙（WBP）半导体材料。由于具有优异的性质如:宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等,使其在高温、高频、大功率、光电子及抗...
![纳米复合材料SiC/ZnO、BaMgAl10O17：Eu～（2+）/MgO的制备与性能研究]()
论文摘要本文首次用液体中电爆炸方法,分别以六甲基二硅烷（HMT）和二甲基硅油（DOS）为前驱物,成功合成了立方相纳米碳化硅。以HMT所得产物粒度分布均匀且分散性好,粒度分布为4...
![SiC种植材料生物相容性评价]()
论文摘要目的生物陶瓷已广泛应用于口腔种植领域，寻找一种陶瓷材料替代金属材料成为种植体核心材料。本文主要以溶血试验作为初步试验，以口腔粘膜刺激试验作为二级试验，对碳化硅种植材料的...
![n型4H-SiC欧姆接触的研究]()
论文摘要宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅与金属电极材料种类有关，还受半导体表面态的影响...
![微波功率SiC MESFET大信号建模技术研究]()
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代（宽禁带）半导体电子材料，SiC金属一半导体场效应管（MESFET）在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用前景。与目前已取得较好成果的...
![太阳能多晶硅锭中夹杂的分布特性及其成因]()
论文摘要近年来,太阳电池发电受到了人们的日益重视。硅是当前用来制造太阳能电池的主要材料,目前铸造多晶硅已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。深入地研究材料中杂质有...
![宽带隙半导体ZnO（及SiC）薄膜的制备及其物性研究]()
论文摘要在半导体材料的发展中，一般将Si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，InP，GaP，InAs，AlAs等称为第二代电子材料，而将宽带隙高温半导体ZnO，SiC，GaN，...
![碳化硅及其复相陶瓷高温摩擦学特性的研究]()
论文摘要SiC陶瓷作为摩擦学构件已获得广泛应用,关于SiC的摩擦学研究已成为当前陶瓷摩擦学研究的热点之一。与金属材料相比,人们对陶瓷材料摩擦学特性的认识还很不充分,有关SiC陶...
