铁电薄膜论文

论文摘要铁电薄膜材料和器件的研究目前仍然面临着很多问题,如光学和光电转换系数提高优化问题、在大规模光电集成电路（OEICs）中集成化与兼容性问题、薄膜化引起的界面问题、小型化带...

论文摘要铁电高分子的烧结温度低,易于加工,成本低廉。铁电聚合物制成的纳米薄膜后可以在低电压下发生极化反转,这些优点使以聚（偏氟乙烯-三氟乙烯）共聚物P（VDF-TrFE）为代表...

论文摘要非线性光学材料在光开关、光限幅、光通讯以及光计算等领域具有重要的应用前景,因而引起了人们广泛的研究,并取得了许多引人注目的成绩。一直以来,三阶非线性光学材料的研究所涉及...

论文摘要铋层状铁电材料（BismuthLayer-structuredFerroelectrics,BLSFs）因具有较大的剩余极化强度Pr,较低的矫顽场Ec以及抗疲劳性能好等...

论文摘要与传统E2PROM,FLASH等非挥发性存储器相比,新型非挥发铁电存储器FRAM具有低操作电压、快速读写操作、低功耗、信息保持时间长等优异的特性,因而非常适合于嵌入式开...

论文摘要多铁材料由于其具有铁电性与铁磁性,并能产生磁电耦合效应,因而在信息存储、传感器、电子自旋器件等方面具有很广阔的应用前景。BST是典型的钙钛矿结构的铁电材料,具有高的介电...

论文摘要电热制冷因其无污染、高效率、固态制冷等优点,在芯片制冷、传感器及其它电子器件的温度调节等方面具有广泛的潜在应用。近年来,随着铁电薄膜巨电热效应（温度改变?T=12K）的...

论文摘要本论文分别利用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLD）理论和Landau-Khalanitkov理论,深入地研究了铁电薄膜的极化性质。首次引入一个...

论文摘要铁电存储器具有高的读写速度、低功耗、抗辐射、非易失性以及与现有集成电路技术的良好兼容性,因此被认为是最有潜力的下一代存储器。铁电材料优良的抗辐射性能使其特别适合应用于航...

论文摘要目前,制备非挥发性铁电存储器所用的铁电薄膜材料体系主要还是锆钛酸铅（PZT）系列,这是因为PZT铁电薄膜具有良好的铁电性能,如较大的剩余极化（2Pr）值以及具有较低的热...

论文摘要铁电薄膜及其在非挥发性铁电存储器（ferroelectricrandomaccessmemory,简称FRAM）领域的应用是近年来国内外研究的热点。本研究分别从铁电材料...

论文摘要铁电薄膜与相应的块体材料相比具有一系列优良的特殊性质,例如铁电性、压电性、介电性、热释电性、热光效应、电光效应、声光效应、光折变效应以及非线性光学效应等,在现代光电子学...

论文摘要在激光分子束外延(LMBE)生长BaTiO3(BTO)薄膜过程中,初期多粒子碰撞反应是薄膜形成的关键过程。本文利用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA),在PW...

论文摘要相对于传统的非易失性存储器,基于铁电薄膜的非易失性存储器具有功耗低,存取速度快,掉电数据不丢失等优点。锆钛酸铅（PZT）是最早的铁电存储器材料,已经被大量研究并做成商用...

论文摘要作为一种典型的单相多铁性钙钛矿材料,BiFeO3是少数在室温下同时具有铁电性（居里温度TC850℃）和铁磁性（尼尔温度TN370℃）的材料之一,在信息存储器、自旋电子器...

论文摘要上世纪90年代以后,随着微电子技术和计算机工业迅速的发展,具有高存储密度和存取速度、抗辐射、非挥发等特点的铁电薄膜存储器受到了人们的广泛关注。锆钛酸铅（PZT）系铁电材...

论文摘要由于在非挥发性存储器中具有良好的应用前景,近年来,铁电材料一直是研究的热点。与传统存储器相比,铁电存储器最突出的优点是具有良好的抗辐射性能,这使其特别适合于航空航天和军...

论文摘要采用固相反应法制备了Bi4Ti3O12（BIT）及其Nb掺杂Bi4Ti3-xNbxO12+x/2（BTN,x=0、0.015、0.03、0.045、0.06、0.09）...

论文摘要铁电薄膜存储器具有高存取速度、高密度、抗辐射和不挥发等特点,引起了人们广泛的研究兴趣。应用于非挥发性存储器的铁电薄膜必须满足极化反转多次（≥1012）而不发生存储单元失...

论文摘要铁电薄膜作为一种重要的功能材料,因具有压电性、铁电性、热释电性和高介电系数等优良特性,受到人们的广泛关注。目前,铁电动态随机存取存储器的存储密度主要是由每个单元内电容的...