锑化物论文

论文摘要本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MBE）生长、激光器的制备...

论文摘要本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaAsSb四元系材料的晶格常数、禁...

论文题目:锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:唐田导师:张永刚关键词:分子束外延,多量子阱,锑化物,激光器,探测器文献...