铜的硅化物论文

大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究
论文摘要随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展，电路特征尺寸不断缩小，互连层数不断上升．由于铜的电阻率较低，抗电迁移和应力迁移能力强，且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低，因...