![ULSI铜互连中电迁移可靠性研究及其工艺整合优化]()
论文摘要随着集成度的增加及器件尺寸的等比例缩小,由互连引入的电阻电容延迟所占的比重越来越大。为了减小互连延迟,业界采用铜互连代替传统的铝互连,采用低介电常数材料替代传统的二氧化...
![大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究]()
论文摘要随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展，电路特征尺寸不断缩小，互连层数不断上升．由于铜的电阻率较低，抗电迁移和应力迁移能力强，且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低，因...
![铜互联工艺中的DFM方法研究]()
论文摘要随着半导体技术代的快速发展，传统的SOC芯片设计逐渐变得无法制造，这个问题在铜互联技术中表现的尤为突出。本文针对铜互联工艺的几项关键技术，展开了相关的DFM基础研究，论...
![对用于互连线的铜脉冲电镀沉积层的研究]()
论文摘要脉冲电镀是20世纪60年代发展起来的一种电镀技术,因为它的应用范围极广,不但在各种常规镀种的高速电镀上应用,而且在印制板高密度互连(HighDensityInterco...
![Cu/低k互连系统可靠性研究]()
论文摘要本文研究了Cu/低k互连系统可靠性,包括Cu互连的电迁移和应力迁移失效问题。讨论了电迁移失效的测试分析方法,探索了Cu互连的电迁移失效机理和改善铜互连抗电迁移性能的措施...
![大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺的优化研究]()
论文摘要为了实现A公司“提高产能降低成本”的目标,本文通过实验试图发现一种大规模生产中可以在沉积Si3N4薄膜工艺上取代HDP-CVD（HighDensityPlasmaChe...
![铜互连中的电流拥挤效应研究]()
论文摘要随着硅集成电路工艺的发展,由于特征尺寸的持续缩小,基于减少RC延迟、增强抗电迁移能力和降低生产成本等诸多需求的考虑,微电子产业已经逐渐转向采用铜（Cu）作为标准的互连导...
![铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究]()
论文摘要随着集成电路的发展,与低介电系数介质相结合的铜互连技术逐步代替铝互连。然而铜有易氧化、易扩散的缺点,很容易扩散入介质影响晶体管效能。这就要求有一种材料能把铜保护起来,和...
