透明导电薄膜论文

论文摘要透明导电薄膜因在可见光范围内高透过率和高电导率而在光电领域得到了广泛的应用。铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜因其不可挠性而被限制发展。近几年,碳纳米管（CNT）薄膜因其...

论文摘要透明导电薄膜是一种重要的光电材料,它具有高导电性,在可见光范围内有很高的透光性,且在红外范围有很高的反射性,在电子产业中有着很广阔的应用前景。SrTiO3是一种典型的宽...

论文摘要透明导电氧化物（TCO）薄膜由于其优良的可见光透过性和导电性在平板显示器件、触摸面板、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件和透明PN结等领域有着广阔的应用前景。本学位...

论文摘要ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。高的激子束缚能使得激子可以稳定存在于室温,因此理论上该材料具...

论文摘要ZnO薄膜材料因具有无毒、源材料丰富、相对生长温度低和在强H等离子体环境中性能稳定等特点获得了广泛研究和应用。其中ZnO:Al（AZO）薄膜由于电阻率低,在可见光区域透...

论文摘要能源危机和环境污染问题促进了太阳能光伏产业的快速发展,而降低成本、提高光电转化效率则是加快太阳能电池推广应用的重要手段。微晶硅薄膜因其低成本、高效率、无衰减等优点已经成...

论文摘要本文采用射频磁控溅射法,首次在透明柔性聚合物TPT材料衬底上制备了掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZAO）,研究了关键工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,并与玻璃衬底上制备的Z...

论文摘要氧化物透明导电薄膜被广泛应用于太阳能电池、液晶显示屏、等离子显示屏、抗静电涂层以及半导体／绝缘体／半导体（SIS）异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等领域。研究表明,Zn...

论文摘要氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带半导体材料（晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm,室温下的禁带宽度约为3.30Ev,激子束缚能约为60mev）,具有优异的压...

论文摘要采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温...

论文摘要透明导电薄膜因其具有低电阻率和在可见光范围内较高的透光率等优异性能,可应用于许多光电器件,比如液晶显示、太阳能电池、热镜和表面声波器件等领域获。现阶段应用的较多的是氧化...

论文摘要采用直流磁控反应溅射技术由金属镶嵌Zn/Mo靶制备高价态差掺钼氧化锌ZnO:Mo（zMO）透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。...

论文摘要本文对高功率微波(HPM)耦合进入卫星电子系统的两种方式进行了仿真分析,根据计算结果提出了相应的防护措施,内容分为两大部分:第一部分计算卫星舱外导线的响应波形,据此结果...

论文摘要氧化锌为直接宽带隙II-VI族化合物半导体材料,室温下禁带宽度3.37eV,具有优良的可见光透过性;掺入Al施主,能有效改善其电学性能。因而,掺铝氧化锌（AZO）能作为...

论文摘要目前应用最广泛的透明导电膜是铟锡氧化物薄膜(ITO),其制备技术是成熟的,但由于InSn等材料有自然储量少、制备工艺复杂、有毒、稳定性差等缺点。因此,急需一种替代产品来...

论文摘要四方钨青铜结构的铌酸锶钡（StrontiumBariumNiobiumSBN）以其较大的线性电光系数、较高的光折变性能灵敏度和热释电系数广泛应用于电光调制器、全息成像存...

论文摘要透明导电氧化物（TCO）薄膜的p型掺杂是目前半导体材料领域研究热点之一，光电性能良好的p型TCO薄膜的缺乏是透明电子器件难以制备的主要问题。SnO2薄膜是最早使用也是非...

本文主要研究内容作者李佳（2019）在《无PVP多元醇法制备直径可控银纳米线及其在透明导电薄膜中的应用研究》一文中研究指出：透明导电薄膜作为光电器件的重要组成部分,具有广泛的应...