论文摘要近年来,ZnO材料以其在短波长发光器件、压电传感器、透明导电极、太阳能电池以及表面声波器件等领域的广泛应用,吸引着人们越来越多的关注。ZnO具有3.37eV的禁带宽度,...
论文摘要ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体,在常温下的禁带宽度为3.37eV,由于其在可见光区域有很高的透过率,因此可以成为替代ITO和SnO2等传统透明导电氧化物薄膜(TCO...
论文摘要自从在具有钙钛矿结构的锰基氧化物中发现超巨磁阻(CMR)效应以来,这类化合物具有的特性引起了人们广泛的关注,对这类材料的研究已成为凝聚态物理学和电子科学的前沿领域之一。...
论文摘要近年来,宽禁带半导体在实现短波长光学器件和短波长激光发射上受到人们的普遍关注。作为候选材料之一的ZnO为纤锌矿六方结构直接带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子...
论文摘要ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,具有较高的激子束缚能(60eV),即使在室温条件下激子也不会分解,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探...
论文摘要半导体纳米材料具有优异的光电性能,在非线性光学器件、光电功能材料等方面具有极为广阔的应用前景。锗作为一种典型的半导体材料,对它的研究一直有着重要的应用背景。Ge-SiO...
论文摘要钨铜复合材料由于具有低膨胀及高导热的优异特性,在电子材料领域中有着广泛的应用前景。采用常规的熔渗和活化液相烧结等方法制备的钨铜复合材料在综合性能方面难以满足现代科技的要...
论文摘要论文采用机械合金化技术制备了Al70Cu20Fe10样品。联合使用X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)两种方法,分别从晶体的长程有序和原子近邻配位...
论文摘要传统的富铝Al-Cu合金是典型的时效硬化合金,在适当条件下等温时效或退火时会获得过饱和固溶体→GPⅠ区(盘状)→GPⅡ区或θ″相(盘状)→θ′相(片状)→θ相的完整沉淀...
论文摘要空调技术进步向着省能源、大功率和小型化方向发展,要求热交换器的高性能化、小型化和低成本,这就促使空调热交换器用铝箔厚度更薄、综合性能更高。本文作者采用铸轧工艺开发了新型...
论文摘要集成电路制造是一门以微电子学为基础、涉及众多领域的新兴交叉学科。如何有效地对上千道复杂工序进行整合与优化,从而保证集成电路芯片的顺利生产是一个学术价值与市场价值兼备的课...
论文摘要Cd1-xZnxTe(CZT)晶体具有优异的光电性能,是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。尽管对CZT的研究由来已久,但在CZT晶体的表面处理、金属...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,远高于其他宽禁带半导体材料,也高于室温下的热运动能,可以实现室温或更...
论文摘要本论文对机械抛光的CdZnTe晶片表面化学抛光、化学钝化及接触电极制备原理与方法进行了研究。通过对比实验发现,用2%Br-MeOH对CdZnTe晶片表面进行化学抛光,腐...
论文摘要高纯铝箔是制作高压电容器的关键材料,具有立方取向的晶粒在腐蚀过程中形成隧道蚀坑,有利于获得高的比电容,因此高纯铝箔高的立方织构含量,是获得高比电容的前提条件。长期以来材...
论文摘要随着大规模集成电路的迅速发展,器件的横向和纵向尺寸不断缩小。根据半导体工业协会(SIA)公布的信息,当器件的特征尺寸为0.18μm时,其结深应为54±18nm;而对于0...
论文摘要对α-Al2O3晶体中色心缺陷的探讨是当前研究热点之一,采用离子注入方法在晶体中掺入杂质元素,通过对注入参数的调节、基材晶向的选择以及热退火工艺的控制,以形成微细颗粒的...
论文摘要纳米材料由于其独特的物理、化学性质在材料的智能化、元件的高集成、高密度存储和超快运输等方面有着诱人的应用前景,因此纳米材料得到了蓬勃的发展。多孔氧化铝具有典型的自组织结...
论文摘要机械合金化方法(MA)制备的Fe-Ni合金因其良好的稳定性和优良的磁学性能而得到了广泛的应用。X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)可对机械合金化产...
论文摘要光纤陀螺以其体积小、结构简单、灵敏度高、启动速度快等优点,受到各国科技界和军界的普遍重视。而光纤陀螺集成光学芯片(Y分支波导相位调制器)则是光纤陀螺的关键部件,对其制备...