![温度对Cu-Ni异质外延生长影响的分子动力学模拟研究]()
论文摘要薄膜的性质取决于原子沉积生长过程决定的结构,而实验分析手段的空间和时间分辨能力都无法达到对原子尺度微观过程的研究,基于分子动力学的计算机模拟为薄膜生长研究提供了一个十分...
![硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究]()
论文摘要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的相继推出,性能卓越的GaN基器件引起了广泛的关注。然而,过高的成本和大...
![先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究]()
论文摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为...
![金属氧化物（ZnO、SnO2）半导体纳米材料的制备、表征及其应用]()
论文摘要众所周知,许多金属氧化物是具有特殊物理化学性能的功能材料,在催化剂、微电子器件、能量储存与转化等诸多领域有着广泛的应用。氧化锌（ZnO）和氧化锡（SnO2）以其优异的光...
![外延薄膜生长过程的微观相场研究]()
论文摘要材料生长过程的计算机模拟和仿真是当今国际公认的制造科学与材料科学的前沿领域之一,而相场法是一种用于描述非平衡态下复杂相界面演变的强有力工具。本文针对外延生长过程的介观尺...
![宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究]()
论文摘要立方氮化硼（Cubicboronnitride,cBN）是具有优异物理化学性质的超硬材料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石,高温抗氧化能力强,而且对铁族金...
![Co基合金超薄膜的结构与磁性]()
论文摘要近年来,结合电子电荷与自旋的自旋电子学与自旋电子学元件因为其广泛的应用前景而引起了人们极大的研究兴趣。薄膜磁学是其中一个重要的分支。随着尺度降低到纳米量级,许多新奇的物...
![半金属CrO2薄膜的生长及磁性研究]()
论文摘要利用化学气相沉积方法（CVD）,在单晶三氧化二铝（Al2O3）基底和氧化铝膜基底上生长CrO2薄膜。重点研究了实验参数对CrO2薄膜质量的影响以及CrO2薄膜的磁性。研...
![动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化]()
论文摘要本论文的资助来源为：国家“973”重点基础研究发展计划(批准号：2003CB314901)和国家自然科学基金(批准号：60644004)。半导体量子点在纳米电子学、纳米...
![半导体自组织量子点系统应力应变的解析计算与生长过程的动力学蒙特卡罗模拟]()
论文摘要半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料，它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景，本论文紧密围绕光电子材料和器件相关的理论和技术展开，重点研究了半导体量...
![TFA-MOD方法生长YBCO超导薄膜的结构和性能研究]()
论文摘要由于YBa2Cu3O7-δ（YBCO）高温超导薄膜具有优异的电学性能，特别是在外磁场下具有高的临界电流，因而YBCO超导薄膜在弱电和强电方面都有重要的应用。在所有YBC...
![SiCl4/H2外延生长单晶硅反应机理的理论研究]()
论文摘要本论文采用Guassian98程序,密度泛函B3LYP/6-311G方法,首次在理论上对以SiCl4作为硅源,在常压氢气氛下实际外延生长单晶硅的整个过程的微观反应机理进...
![微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究]()
论文题目:微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:柴常春导师:杨银堂关键词:半导体器件,集成电路,...
![刘龙涛：激光增材制造单晶高温合金研究进展论文]()
本文主要研究内容作者刘龙涛,陈超越,李霞,王江,任忠鸣（2019）在《激光增材制造单晶高温合金研究进展》一文中研究指出：镍基单晶高温合金具有良好的高温强度、抗氧化和抗腐蚀性能、...
![陈泽宇：石墨烯制备方法的分析探讨论文]()
本文主要研究内容作者陈泽宇,闫娜,王再红（2019）在《石墨烯制备方法的分析探讨》一文中研究指出：分析了新型炭材料石墨烯在物理、化学、电学等方面的性能优势,综述了现今石墨烯材料...
