微结构缺陷论文

ZnO基纳米结构MOCVD法可控生长及微结构与机理分析
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,是制备半导体发光器和半导体激光器的理想材料。ZnO纳米材料具有丰...