• 电场诱导二氧化钒薄膜相变研究

    电场诱导二氧化钒薄膜相变研究

    论文摘要作为一种3d过渡金属氧化物,二氧化钒在68°C附近发生金属与半导体之间的相变,发生相变时通常伴随着光学和电学常数的巨大变化。研究二氧化钒的相变机理是一件十分有意义的工作...