线边缘论文

纳米线围栅MOS器件关键工艺研究
论文摘要随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,当器件尺寸进入纳米尺寸时,会面临着严重的短沟道效应。围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运...