相邻双错误论文

低冗余存储器相邻双错误纠正码设计
论文摘要集成电路工艺尺寸逐渐发展到深亚微米领域,使得存储器的存储节点更容易受到空间辐射粒子的影响,其存储数据更加容易发生翻转。存储器单元尺寸的减少,使得在同一块晶元上可以放置更...