陷阱效应论文

4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统半导体材料Si和GaAs相比,SiC材料...
硫增感氯化银微晶光电子衰减特性动力学研究
论文摘要本工作借助于微波吸收介电谱检测技术,系统检测了硫与硫加金增感立方体氯化银微晶光电子的时间分辨谱。根据光电子衰减谱随增感条件的变化,分析了增感中心在不同增感时间下的陷阱效...