![W波段高效倍频技术研究]()
论文摘要随着现代通信和雷达技术的发展,简单毫米波固态源的频率稳定度和相位噪声较差,难以满足工程需求。利用倍频技术,降低了主振频率,可提供优质的毫米波源。三毫米波(94GHz)是...
![GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究]()
论文摘要第三代半导体材料GaN,具有直接带隙、大禁带宽度（室温下3.39eV）、强击穿电场（3MV/cm）、高电子饱和漂移速度（3×107cm/s）、和良好化学稳定性等优异特性...
![新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究]()
论文摘要功率半导体器件和功率集成电路作为整个半导体产业的重要分支,广泛应用于工业生产和社会生活。功率整流器是重要的功率半导体器件。在传统的P-i-N二极管和平面肖特基二极管（S...
![3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究]()
论文摘要SiC具有独特的物理性质和电学性能,击穿电压高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、热导率高、和化学稳定性好,可用于高温、高速、高频等极端条件。相对于同质外延来说,3C-...
![基于碳化硅肖特基二极管的逆变器的研究]()
论文摘要随着电力电子技术的快速发展，逆变器已被广泛地应用在工业、民用等各个领域。如何进一步地提高逆变器性能成为了逆变技术研究领域的重点。大部分的研究通过电路结构或控制技术的优化...
![太阳能电池用聚苯胺合成、表征与应用]()
论文摘要导电聚合物的发现为太阳能电池提供了一种价格低廉、易得、环境相容性好的光活性材料,聚合物材料具有良好的柔韧性,其太阳能薄膜电池可折叠,可有效地节省空间,方便使用,使生产低...
![MPS二极管“软恢复”的原理探讨、仿真设计与研制实践]()
论文摘要在电力电子、开关电源电路以及各种电机驱动电路中,越来越高的工作频率将大幅度降低其中的被动元件（电感和电容）的体积及其上面的功率损耗,但对电路中使用的大功率开关二极管提出...
![肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究]()
论文摘要为了满足航天电子系统对SBD抗辐照能力进行评估的要求,本论文课题通过理论研究和60Coγ射线辐照实验数据分析,研究了器件辐照损伤效应及其抗辐照能力的表征方法。文中设计了...
![低电压工作的无源UHF RFID标签电路设计及肖特基二极管的研究]()
论文摘要近年来随着无线射频通信技术的飞速发展,无线射频识别技术（RFID）的市场逐渐兴起。RFID系统是一种利用射频电磁波在标签与读卡器之间传输数据的自动识别技术。在这其中超高...
![基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究]()
论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展,人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。作为射频电路中的关键元素,高频无源器件受到了越来越多的关注。肖特基势垒二极管是射频电路...
![八毫米波宽带三倍频器研制]()
论文摘要毫米波倍频器是毫米波技术中的一项重要内容，它可以降低毫米波设备的主振频率和扩展工作频率。同时，又把微波设备所具有的优点，如高频率稳定度及微波调制器的调制特性等扩展到毫米...
![基于UHVCVD的选择性外延锗硅与金属诱导生长多晶锗硅的研究]()
论文摘要锗硅(Si1-xGex)是硅和锗组成的半导体合金材料。除具有硅材料的优点外,还具有能带可调以及应力调整等自身的特性,同时它还与目前先进的硅集成电路工艺相兼容,因此锗硅材...
![Al-N共掺杂实现p型ZnO的机理及其相关器件基础研究]()
论文摘要近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙（室温下3.37eV）,属于六方纤锌矿结构。由于ZnO具...
