肖特基接触论文

AlGaN/GaN肖特基势垒二极管制作工艺与器件特性研究
论文摘要近十年来，宽禁带半导体电力电子器件已成为半导体领域的研究重点之一。AlGaN/GaN肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，SBD）具有高压、大电流...
宽禁带功率二极管的研制
论文摘要据统计,在低能耗系统中消耗的电能占到总电能使用量的60%至70%,而低能耗系统中的电能绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。功率器件是在提高电力利用效率中起关键作用的,也...
AlGaN/GaN HEMT肖特基接触技术研究
论文摘要肖特基接触是AlGaN/GaNHEMT的关键因素之一,国内外对其还鲜有研究,本文对AlGaN/GaN异质结上的肖特基接触作了详细的研究。首先,在经典的肖特基电流输运理论...
高性能AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的研究
论文摘要肖特基接触是AlGaN/GaNHEMT制备中的关键工艺之一,提高肖特基势垒高度、减小理想因子和泄漏电流可以提高器件的击穿电压,进而改善器件功率特性,良好的肖特基接触特性...
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析
论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...