![金属/锗硅固相反应及其接触特性研究]()
论文摘要随着集成电路器件尺寸的持续缩小,短沟道效应等原因使得MOS器件性能的继续提高遇到了严峻的挑战,SiGe被引入到新型的器件结构中,通过在沟道中产生应变来提高沟道载流子的迁...
![Pr1-xCaxMnO3钙钛矿结构陶瓷磁电输运性质研究]()
论文摘要基于钙钛矿结构稀土掺杂锰氧化物（R1-xMxMnO3,R=稀土元素,M=碱土元素）在磁存储和磁传感方面有广泛的应用前景,因而成为近年来凝聚态物理被着重研究的强关联电子体...
![新型低势垒接触体系研究]()
论文摘要集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。其中具有较低金属功函数的稀土金属（如Er、Yb等...
![镍合金（NiPt、NiAl、NiY）硅化物固相反应及其与Si肖特基接触特性研究]()
论文摘要为了适应半导体集成电路制造技术的发展,CMOS晶体管的栅极在结构上和材料上经历了一系列的演变。作为金属栅的热门候选材料之一,硅化镍（NiSi）由于在耗硅量、热预算、电阻...
![金属硅化物在深亚微米超大规模集成电路中的研究与应用]()
论文摘要随着深亚微米超大规模集成电路的发展,芯片集成度的一再提高,工艺的特征线宽也随之减小,金属化工艺也面临了更大的挑战,同时也推动了新材料、新技术的不断进步和发展,而传统工艺...
![碳/碳氮一维纳米材料的制备、物性以及相关器件的研究]()
论文摘要本文研究、优化了浮动催化化学气相沉积法制备单壁碳纳米管的生长参数,可控地制备出几种不同形貌的单壁碳纳米管并开展了相应的物性研究。在此基础上,开展了单壁碳纳米管器件的设计...
![光电子能谱线站的建设及Cu/3C-SiC界面的研究]()
论文摘要本论文的内容主要包括两个方面,一个是NSRL（NationalSynchrotronRadiationLaboratory）光电子能谱光束线和实验站的建设,一个是对Cu...
![氧化物半导体纳米线肖特基势垒的传输特性及其控制方法研究]()
论文摘要在本论文的研究中,我们研究了表面态和势垒结构对CuO、ZnO等氧化物半导体纳米线肖特基势垒输运特性的影响,基于对表面态和势垒结构的调控,探索了几种对纳米线肖特基势垒输运...
