肖特基源漏论文

新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究
论文摘要随着MOSFET特征尺寸的不断减小,为了有效抑制器件的短沟道效应,一直以来,在MOSFET栅介质层厚度不断减小的同时,其源漏结深也不断减小。然而,随着器件尺寸进一步缩小...
纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
论文摘要随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之一。基...