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AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究
论文摘要随着微波系统的发展,对固态功率放大器件的性能要求越来越高,现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波功率器件,AlGaN/GaNHEMT具有...
亚微米GaAs PHEMT器件及其小信号建模
论文摘要自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高迁移率等优点,促使了半导体器件向微波/毫米...