校准件论文

AlGaN/GaN HEMT功率器件测试及封装技术研究
论文摘要近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓（GaN）作为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓（GaN...