• N掺杂p型MgxZn1-xO薄膜的制备及相关问题的研究

    N掺杂p型MgxZn1-xO薄膜的制备及相关问题的研究

    论文摘要纤锌矿结构的MgxZn(1-x)O具有与ZnO相似的结构和光学特性,并且其带隙在一定范围内连续可调,近年来被看作是ZnO基LED的合适垒层材料。目前,人们已经能够制备出...
  • P型ZnO薄膜及其p-n结的制备与性能的研究

    P型ZnO薄膜及其p-n结的制备与性能的研究

    论文摘要zno是n一IV宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.37eV,属于六方纤锌矿结构,具有压电、热电、气敏和光电等多种性能,在很多领域都有广泛的应用。zno具有较高的激子结合能...
  • 新型半导体材料和红外器件的输运性质研究

    新型半导体材料和红外器件的输运性质研究

    论文摘要本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应测量和Shubnikov-deHass(SdH)测量,并借助多载流子输运分析——迁移率谱分析技术,研究了p型ZnO薄膜和...
  • WO3基气敏传感器薄膜材料的性质及应用研究

    WO3基气敏传感器薄膜材料的性质及应用研究

    论文摘要微结构气敏传感器与电子鼻是近年来国际上传感器领域的研究热点,微结构气敏传感器是利用微电子、微机械加工和薄膜技术将加热测温电阻、测量电极和敏感薄膜集成一体的新一代气敏元件...