![稀土掺杂转换发光材料的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用]()
论文摘要染料敏化太阳能电池（DSSC）具有成本低廉、制备工艺简单、光电转换效率已经达到11%以上,引起了国内外广泛的关注。DSSC中光阳极材料TiO2作为一种极稳定的半导体材料...
![适用于日盲紫外探测器的高Al组分n型AlGaN的生长]()
论文摘要利用有机金属化学气相沉积（MOCVD）的方法,在高质量的铝氮（AlN）模板和铝氮/铝镓氮超晶格（AlN/AlGaNSLs）上,通过改变[TMA/（TMa+TMG）]的流...
![金刚石半导体电子性质研究]()
论文摘要金刚石作为一种宽带隙（5.4eV）半导体材料,具有优异的物理化学性质,在高温,高频,大功率电子器件等高新科技领域有极大的应用潜力。然而,其目前的发展状况却不是很理想。尽...
![基于第一性原理的ZnO材料的计算机模拟计算]()
论文摘要本文首先阐述了在现有的发达的网络及信息资源之下应该如何进行一个完整的材料设计及计算分析的全部过程。设计的目标是围绕半导体材料ZnO的特性——光学属性、电子结构及掺杂后的...
![GaN基p-i-n紫外探测器研究]()
论文摘要宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280...
![汽车用SrTiO3厚膜氧传感器研究]()
论文摘要本文在研究了n型和p型掺杂SrTiO3氧敏材料敏感及导电机理的基础上,着重对SrTiO3材料进行了La和Nb的n型掺杂研究,并通过正交实验得出了n型掺杂的最佳配方。以固...
![III族氮化物半导体中极化场的调控]()
论文摘要Ⅲ族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,纤锌矿结构的...
![掺杂AlN的理论与实验研究]()
论文摘要氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.2eV）Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。但是,实现AlN材料在光电器件上的广泛应用还面临重大挑战—难...
![L-MBE法生长ZnO薄膜的p型掺杂及分析表征]()
论文摘要近年来，ZnO由于其良好的激子发光特性而受到众多研究机构的关注。其具有比GaN和ZnSe材料更高的室温激子束缚能，有望实现室温甚至更高温度下运转的低阈值紫外发光器件。目...
![P型透明导电氧化物薄膜的研究]()
论文摘要透明导电氧化物（TCO）薄膜的p型掺杂是目前半导体材料领域研究热点之一，光电性能良好的p型TCO薄膜的缺乏是透明电子器件难以制备的主要问题。SnO2薄膜是最早使用也是非...
![氢吸附导致的SiC表面金属化的第一原理研究]()
论文题目:氢吸附导致的SiC表面金属化的第一原理研究论文类型:硕士论文论文专业:物理学作者:常昊导师:段文晖关键词:第一原理方法,表面,吸附,氢桥键,型掺杂文献来源:清华大学发...
