形成热论文

单壁GaN纳米管的结构稳定性及其性质：第一性原理研究
论文摘要以氮化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物宽带隙半导体材料具有优良的光电特性和稳定的物理性质。目前,氮化镓块体结构和薄膜结构已经被广泛的研究。然而,对于一维氮化镓纳米结构的研究还处...