型导电论文

单源化学气相法制备ZnO薄膜及其光电性质研究
论文摘要ZnO是一种直接宽禁带半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此可以实现室温下的高效率激子发射以及紫外发光,使得ZnO成为一种极具发展和应用...
p型ZnO薄膜的制备及掺杂机理研究
论文摘要ZnO为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能，在许多领域都有广泛的应用。近年来ZnO在光电领域的应用引起了人们的很大关注，这是由于ZnO在室...
谢子娟：混合QM/MM嵌入团簇法对氮化镓中缺陷的研究论文
本文主要研究内容作者谢子娟（2019）在《混合QM/MM嵌入团簇法对氮化镓中缺陷的研究》一文中研究指出：GaN是一种典型的宽禁带半导体,一直是凝聚态物理和材料物理研究的重点。G...