型透明导电膜论文

P型ZnO薄膜的优化制备及其应用
论文摘要ZnO是一种新型的II-VI族直接宽带隙化合物半导体材料。室温条件下,其禁带宽度为3.37eV（对应紫外光的波长）,激子束缚能为60meV（有利于实现高效率的激光发射）...