型透明导电氧化物论文

p型CuAlO2薄膜的制备与性能表征
论文摘要CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光电领域有其独特的性能,具...
CuCrO2薄膜的制备与性质研究
论文摘要宽禁带n型与p型导电氧化物半导体即透明导电氧化物（TCO）已广泛应用于太阳能电池的窗口层、平板显示器、低辐射窗、触摸屏、飞机和冰箱的除霜窗口、气体传感器、抗静电涂料等领...
p型透明导电Cu-Al-O薄膜的制备与光电性能研究
论文摘要CuAlO2（CAO）p型透明导电薄膜是1997年Kawazoe等人基于价带化学修饰（CMVB）理论,首次制备出的铜铁矿结构p型直接带隙透明氧化物薄膜。它的成功开发为实...