锌锡氧薄膜论文

MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究
论文摘要在科学技术日新月异的今天,半导体材料的发展经历了第一代以锗、硅为代表的元素半导体,第二代以砷化镓、磷化铟为代表的化合物半导体,第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、氧化锌...