![杂质对直拉硅单晶中原生缺陷以及热处理诱生缺陷的影响]()
论文摘要以N型重掺直拉硅单晶片为衬底的硅外延片被广泛用于集成电路以及功率器件的制造。为了提高器件的成品率,通常要求外延硅片具有内吸杂能力,这就要求作为衬底的重掺硅片在器件制造过...
![高温快速热处理对直拉硅单晶中杂质行为的影响]()
论文摘要快速热处理（RTP）作为一种敏捷制造手段,近十年来在直拉硅片内吸杂工艺中得到很好的应用,其根本原因在于高温RTP引入的空位能增强直拉硅片的氧沉淀且空位浓度的深度分布可以...
![杂质对直拉硅单晶力学性能的影响]()
论文摘要直拉硅单晶作为集成电路的基础材料已经被广泛而深入地研究了几十年,其力学性能是其中重要的研究课题。随着集成电路用硅片直径的增大、硅片加工精度要求的提高及硅基微机电系统（M...
![氮离子注入单晶硅的性能研究]()
论文摘要氮杂质对单晶硅的性能有重要影响,氮在硅中的性质,相关缺陷的作用机理,以及对硅电学性能的影响一直为人们所研究。本文通过氮离子注入的方法在单晶硅中掺入杂质,经常规退火和快速...
![快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响]()
论文摘要集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商——...
![大规模集成电路用同族元素掺杂直拉硅单晶的微缺陷及其缺陷工程]()
论文摘要超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。随着直拉硅单晶的大直径化,硅中氧含量有所下降,而...
![氢气氛下高温退火对直拉硅中氧的行为的影响]()
论文摘要硅材料是微电子产业的基础材料。随着超大规模集成电路（ULSI）特征线宽的不断减小，对直拉硅中杂质和缺陷控制的要求越来越严格。氧是直拉硅单晶中最重要的非故意掺入杂质，与氧...
![快中子辐照直拉硅辐照缺陷的研究]()
论文摘要本文对快中子辐照直拉硅的辐照缺陷在退火过程中的转化机制和辐照缺陷对高温退火后氧化诱生缺陷的影响进行了研究。实验结果表明对快中子辐照直拉硅进行100℃-700℃短时热处理...
![直拉硅单晶的氧沉淀及内吸杂的研究]()
论文摘要直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过程中,硅片中产生的氧沉淀及其诱生缺陷...
![大直径直拉硅片的一种新型内吸杂工艺研究]()
论文摘要半导体硅材料是微电子产业的基础材料。多年来,人们一直在研究如何控制和利用直拉硅中的杂质和缺陷,即所谓的“缺陷工程”。其中内吸杂工艺是学术界和工业界普遍关注的重点领域。近...
![快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究]()
论文摘要本文中利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照直拉硅(CZSi)中氧沉淀及诱生缺陷形...
