氧化层电荷论文

亚微米MOS器件的热载流子效应研究
论文摘要随着微电子技术的迅速发展,MOS器件特征尺寸不断按比例减小,导致热载流子效应日益严重。近三十年来,MOS器件热载流子效应的研究已经成为了集成电路可靠性问题的重要研究课题...
电荷泵浦的测量方法和遂穿晶体管的可靠性模拟
论文摘要半导体器件模拟工具通过数值计算,让我们以虚拟的方式考察半导体器件内部的工作和物理过程,从而帮助我们分析和理解器件的工作原理和特性,探索器件性能的改进方法。本论文应用技术...
纳米CMOS器件的新测量方法并用于可靠性的研究
论文摘要CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处于争论之中。其原因一方面源...
I/O PMOSFET热载流子损伤机理研究
论文摘要本文对用于片上系统输入输出电路的PMOSFET热载流子损伤进行了研究。在前人理论研究的基础上,讨论了PMOSFET中热载流子损伤引起的栅氧化层缺陷,结合实验解释了局部热...
超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
论文摘要栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代...