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择优取向生长的ZnO薄膜的制备及氧化物薄膜生长过程的分子动力学模拟
论文摘要氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。Zn...