![宽带隙半导体（ZnO，SiC）材料的制备及其光电性能研究]()
论文摘要在半导体材料的发展中,一般将Si,Ge称为第一代电子材料,GaAs,InP,GaP,InAs,AlAs等称为第二代电子材料,而将宽带隙高温半导体ZnO,SiC,GaN,...
![不同维度ZnO纳米结构的合成和光学性能研究]()
论文摘要近年来不同维度的半导体纳米结构材料引起了学术界极大的关注。其中,以三维胶体晶体（或蛋白石）为模板制备的有序多孔材料,由于拥有均一的孔径和高度有序且内部连通的孔排列,在分...
![铜、锌氧化物的形貌控制合成及性能研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种宽带隙（室温下3.3eV）的n型半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,空间群为P63mc。氧化铜（CuO）具有窄带隙（室温下1.2e...
![ZnO和ZnS一维纳米材料的合成与微观结构]()
论文摘要本文采用热蒸发气相沉积的方法合成了ZnO和ZnS一维纳米材料。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜研究了合成产物的形貌和微观结构,阐明了生...
![金属复合纳米材料及宽带半导体材料的超快光物理研究]()
论文摘要本论文主要分为两个部分,第一部分研究了磁控溅射制得的以氮化硅为基质的含银金属纳米复合薄膜及离子交换得到的掺银,铜复合玻璃的超快能量弛豫过程和三阶非线性光学性质,以及热处...
![几种光功能材料的超快光激发和光动力学过程]()
论文摘要本文从有机物和无机物两个方面研究了两种蓝色荧光类材料。这两种材料均有用于蓝色发光二极管领域的应用前景。本文通过800纳米的飞秒激光激发,详细研究了这两类材料在非线性激发...
![脉冲激光沉积ZnO薄膜及其性质研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种纤锌矿结构的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV,具有优异的光学和电学性能,在透明导电薄膜、...
![氧化锌基一维纳米复合材料制备及其性能研究]()
论文摘要纳米材料制备及应用是当今世界各国重点发展的研究领域之一。一维纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。本文对一维氧化...
![木材结构分级多孔氧化物制备、表征及其功能特性研究]()
论文摘要分级多孔材料在分离提纯、选择性吸附、催化剂装载、光电器件、及传感器研制等多个领域具有重要的研究和应用价值。为了获得多孔结构,材料工作者设计出了多种人工造孔的方法,这些方...
![IrO2/n-ZnO接触电学特性的研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学性质。ZnO目前广泛应用于压...
![基于多能谷纤锌矿相ZnO的Monte-Carlo模拟]()
论文摘要ZnO，作为一种在光学、电学以及光电领域很有应用前景的宽禁带半导体材料，受到了人们的大量关注。而Monte-Carlo方法，因其直观、准确的特点也经常被人们用来计算材料...
![结合磁过滤阴极弧等离子体沉积技术制备高质量半导体薄膜的研究]()
论文摘要本论文主要由两部分组成。第一部分主要是试验设备的建立,在这一部分中,首先介绍了等离子体的概念及其应用,通过对实验设备的改进,例如改变引弧针材料,加入宏观离子挡板等,使其...
![强发光纳米ZnO的模板法制备及烧结工艺研究]()
论文摘要近年来，宽禁带半导体在实现短波长光学器件和短波长激光发射上受到人们的普遍关注。作为候选材料之一的ZnO为纤锌矿六方结构直接带隙半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子...
![半导体ZnO微米/纳米结构制备及其性质研究]()
论文摘要在本论文中，我们分别采用了热蒸发法、溶液处理法以及水热合成法等不同方法，制备出形貌各异的ZnO微米／纳米结构，如纳米梳、纳米棒、纳米线、纳米带、针管状纳米结构、双节棍纳...
![以聚酰胺—胺（PAMAM）树形大分子为模板制备氧化锌]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种用途十分广泛的无机功能材料，在日用化工及国防领域有着重要的应用。氧化锌还是新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族六方纤锌矿结构半导体材料。随着高科...
![高效NUV-LED用荧光转换材料的合成与性能]()
论文摘要白光LED的组装需要高效率的能被近紫外光或蓝光激发的荧光粉。本研究针对近紫外LED光转换的要求，研究了M2SiO4：Eu2+（M=Ba,Sr）和阴离子掺杂ZnO荧光粉的...
![脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及其光学性质的研究]()
论文摘要ZnO是一种宽带隙的半导体材料，具有六方纤锌矿结构，室温下它的能隙宽度为3．37eV，激子束缚能高达60meV，可实现室温下的紫外受激发射，在表面声波器件、紫外光探测器...
![硅和氧化锌纳米线的制备及光致发光特性]()
论文摘要一维硅纳米线（SiNWs）和氧化锌（ZnO）纳米线的制备和特性研究是当今纳米科技最重要的研究热点。如果能将二者结合制备出纳/微米尺度的Si/ZnO异质结,将会对“自下而...
![氧化锌/银（金）复合纳米粒子的制备及性质研究]()
论文摘要由于半导体纳米粒子（也称为量子点）具有独特性质,其在生物学和医学方面潜在的应用价值已引起了广大科学工作者的极大关注。氧化锌作为新一代的化合物半导体功能材料,有着许多优异...
![大尺寸氧化锌晶体的制备及生长机理]()
论文摘要氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60M...
