应变硅论文

应变PMOS器件阈值电压及其可靠性的模拟研究
论文摘要应变硅技术通过采用适当的工艺或材料在MOS器件的沟道中引入应力,改变硅的能带结构、电导有效质量以及载流子的散射概率,提高载流子的迁移率。由于在提高器件电学性能方面的卓越...
基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
论文摘要随着纳米加工技术的迅速发展,晶体管的特征尺寸已进入纳米级。通过等比例缩小的方法提高当前主流硅CMOS器件的性能受到越来越多物理、工艺的限制。为了使集成电路技术能延续摩尔...
SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
论文摘要随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近...
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
论文题目:SGOI材料的SIMOX制备技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:陈志君导师:张峰关键词:掩盖注氧隔离技术,氧化增强注氧隔离技术,绝缘体上的锗...