应变量子阱论文

高应变1.3μm GaInNAs量子阱脊型波导半导体激光器的研究
论文摘要本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料在光增益、输出波长以及对温度的敏感性等方面的特性,并从理论上对其形成机制作了初步的探讨,对并入其中的N组分引起的反常弯曲...
应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
论文摘要近十年来,诸如AIN、GaN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ-族氮化物半导体材料在发光二极管和激光二极管等器件制备方面的应用日益丰富,其低维结构的研究成为理论界的热点问题之一...
1.31μm GaInNAs激光器的设计与制作
论文摘要本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料的光增益、输出波长、对温度的敏感性等特性，并从理论上对其形成机制作了初步的探讨，对并入其中的N组分引起的反常弯曲系数的成...