• 大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究

    大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究

    论文摘要随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展,电路特征尺寸不断缩小,互连层数不断上升.由于铜的电阻率较低,抗电迁移和应力迁移能力强,且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低,因...
  • 力、电作用下晶内微裂纹的演化

    力、电作用下晶内微裂纹的演化

    论文摘要集成电路可靠性的瓶颈问题——内导线失效,是在电、热、力等多场耦合条件下的电迁移、热迁移和应力迁移现象造成的。随着集成电路的日益微型化,金属薄膜内连导线在多场耦合环境下的...
  • Cu/低k互连系统可靠性研究

    Cu/低k互连系统可靠性研究

    论文摘要本文研究了Cu/低k互连系统可靠性,包括Cu互连的电迁移和应力迁移失效问题。讨论了电迁移失效的测试分析方法,探索了Cu互连的电迁移失效机理和改善铜互连抗电迁移性能的措施...
  • 岩土介质流—固耦合非线性损伤力学理论与数值分析

    岩土介质流—固耦合非线性损伤力学理论与数值分析

    论文摘要岩土体是自然界中一种内部富含各种缺陷(如微裂纹、孔隙等)的多相体,地下水在微裂纹、孔隙中的渗流作用影响岩土体中应力场的分布,同时岩土体中应力场的改变又使裂隙产生变形发展...