一维半导体材料论文

氮化镓一维纳米材料及薄膜的制备与表征
论文摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39eV,具有高熔点、高临界击穿电场和高...