![原子层沉积方法制备非极性面ZnO异质结及其物性研究]()
论文摘要ZnO因为具有较大的激子束缚能（大约60meV）,使其在紫外发光二极管和激光二极管方面具有了很好的应用前景。但是由于p型ZnO的不稳定性,导致ZnO的同质结很难得到。虽...
![ZnO/CuSCN异质结的制备及性能研究]()
论文摘要本文采用连续离子层吸附与反应法（SILAR）制备Al掺杂ZnO薄膜,研究掺杂浓度及退火处理对薄膜结晶性能的影响;两步法化学浴沉积（CBD）制备ZnO柱状多晶薄膜,研究不...
![多孔碳球负载BiVO4及其改性和光催化活性研究]()
论文摘要由于TiO2不能高效的利用太阳光能源,因此需要开发新的具有可见光光催化响应能力的新型催化剂。单斜晶白钨矿型BiVO4光催化剂具有天然的可见光催化活性。为了进一步提高其光...
![构筑高效可见光驱动AgCl:Ag表面等离子型异质结光催化剂]()
论文摘要近年来,半导体光催化技术因具有节能高效、无二次污染的优点引起人们的关注。传统光催化剂由于可见光利用率低,稳定性差,限制了光催化技术在实际中的应用。因此,可见光响应的半导...
![锗基磁性半导体及其异质结构的磁性与电输运性质研究]()
论文摘要20世纪,微电子工业迅速崛起。以大规模集成电路为基础；通过电场调控电子的电荷实现了信息的处理和传输。然而传统信息技术却忽略了电子的另一个自由度——自旋。而以磁性材料为基...
![透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究]()
论文摘要基于铁电场效应晶体管的铁电随机存储器具有在断电时不会丢失信息、低功耗、非破坏读取、和快速开关等诸多优点。近年来,透明薄膜晶体管的发展是透明电子学的一个重要的研究方向,可...
![GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究]()
论文摘要第三代半导体材料GaN,具有直接带隙、大禁带宽度（室温下3.39eV）、强击穿电场（3MV/cm）、高电子饱和漂移速度（3×107cm/s）、和良好化学稳定性等优异特性...
![硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究]()
论文摘要氮化镓(GaN)是近年来发展最为迅速的第三代半导体材料之一。由于GaN的化学性质稳定,耐高温,直接带隙宽度大,高频大功率等特点,能够很好的弥补Si和AsGa等半导体材料...
![AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究]()
论文摘要近年来,作为第三代半导体的代表,氮化镓（GaN）因广阔的应用前景而备受关注。商业化GaN基蓝光发光二极管（LED）和激光器（LD）的出现,吸引了更多科研机构和企业转向G...
![硅基薄膜太阳电池的数值模拟]()
论文摘要本论文运用一维光电子结构分析模拟软件AMPS-1D对硅基基薄膜太阳电池进行研究。首先分析了p-i-n型非晶硅薄膜太阳电池,然后对p-i-n结构纳米硅电池进行了详细的讨论...
![BiVO4异质结光催化剂的制备及可见光光催化性能研究]()
论文摘要为构建资源节约型、环境友好型社会,解决当前面临的能源、环境两大危机,开发新型太阳能光催化技术越来越成为科研工作者不断努力的又一大研究课题。本文就是从这一角度出发,探索研...
![BiVO4的水热法合成、改性及其可见光催化性能的研究]()
论文摘要环境污染是当今全世界面临的重大挑战，利用新型高效的可见光响应光催化材料将太阳光能转化为化学能，并直接利用太阳光在常温下光催化降解有毒有害污染物，从而达到环境净化的目的，...
![新型SiGe异质结双极型晶体管（HBT）研究]()
论文摘要SiGe异质结双极性晶体管（HBT）具有传统的Si基双极性晶体管无法比拟的高频特性,因而在高速射频电路等领域有巨大的应用需求。与GaAs等Ⅲ-Ⅵ族射频器件相比,具有成本...
![CuA1O2与ZnO纳米结构制备及其光电化学性质研究]()
论文摘要近年来,半导体纳米材料由于其独特的性质和广泛的应用引起了世界范围的关注并得到了蓬勃发展,尤其是这些半导体纳米材料表现出优良的光电性能,光生电子-空穴对可以通过异质结有效...
![氧化物超导/铁磁异质结的近邻效应和涡旋物质研究]()
论文摘要超导和铁磁是两种对抗性的长程序,二者之间的相互作用是当代凝聚态物理领域广为关注和富有挑战性的研究课题。由铜氧化物高温超导体（HTS）和庞磁电阻（CMR）锰氧化物铁磁体构...
![功能性半导体纳米晶组装体系的制备及其可见光响应性能研究]()
论文摘要光催化技术是指利用半导体材料受到光激发后产生的价带空穴和导电电子进行氧化和还原反应对有机污染物进行降解和光解水产氢的高级技术。光催化技术的关键是光催化剂,但是以TiO2...
![石墨烯纳米器件的量子输运研究]()
论文摘要自从2004年Novoselov等人成功制备单层石墨(石墨烯,Graphene)以来,石墨烯以其独特的电学性质,如Klein隧穿,狄拉克颤动,半整数霍尔效应等引起了科学...
![有机小分子半导体薄膜的制备与光电性质]()
论文摘要酞菁类（Pc）和苝酰亚胺类（PDI）有机小分子半导体具有优良的光热稳定性,其分别作为空穴和电子传导材料,在现代有机光电功能器件的应用中具有重要作用。但从目前的研究来看,...
![a-Si：H/c-Si异质结界面特性的理论研究]()
论文摘要a-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。影响a-Si:H/c-Si异质结性能的两个关键界面...
![ZnO/Si异质结的制备与特性研究]()
论文摘要能带补偿和界面态是影响半导体异质结性能的两个最关键因素,也是最本质的物理根源。本文从能带补偿和界面态两个方面对ZnO/Si异质结的电学性能进行了研究。采用p-n扩散模型...
