异质结论文

论文摘要光催化降解环境污染物技术由于能够利用太阳能而备受关注,其中TiO2光催化剂得到广泛研究和应用。但是TiO2的推广应用遇到两个瓶颈问题:（1）TiO2禁带宽度大,只能被太...

论文摘要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的相继推出,性能卓越的GaN基器件引起了广泛的关注。然而,过高的成本和大...

论文摘要氧化锌（ZnO）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,为六角纤锌矿结构,晶格常数a=0.3250nm,c=0.5206nm。纳米ZnO具有优异的电学、光学、气敏、光催...

论文摘要实验通过静电纺丝技术制备含羧基的（PSU/PVDF/SMA）纤维毡，以其作为载体，水热反应条件制备硫属半导体/（PSU/PVDF/SMA）电纺纤维复合材料，研究了可见光...

论文摘要ZnO和ZnS都是II-VI族宽带隙半导体材料，具有良好的光电性能，被广泛地应用于发光二极管、荧光显示和光催化等领域。随着纳米技术的迅猛发展，成功地合成出了ZnO以及Z...

论文摘要光子晶体是一种由介电材料或金属周期排列而成的结构,近年来受到国内外研究工作者的广泛关注。该结构的表面波在某一频率范围呈现出频率禁带,正是这种频率禁带特性使得光子晶体在微...

论文摘要论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,尤其是C的引入导致SiGeC材料临界...

论文摘要随着太阳电池技术的不断进步,对其构成材料的性质表征和改良更新,以及对新型结构电池性质表征手段的发展和创新,都是具有重要意义的研究。本论文主要从这两个角度分别研究了新型透...

论文摘要因其独特的电子传输、机械、气体吸附等性质,碳纳米管已在多种领域得到广泛的应用。通过介入五元、七元或者八元等非六边形环连接而成的Y、T、X、I或者L型碳纳米管异质结,可用...

论文摘要自旋相关的量子输运是自旋电子学中的重要研究内容。本文首先简单介绍了自旋电子学的兴起和发展,回顾了自旋电子在介观尺寸下的一些典型的输运特性,对隧穿磁电阻效应、Rashba...

论文摘要本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考...

论文摘要在电子系统中为了实现信息传输的大规模化和高速化:一是采用高速电子器件;二是采用光波导连接芯片。GeSi/Si异质结在这两方面的应用中都有明显的优势,本文论证了用GeSi...

论文摘要自20世纪80年代末光子晶体（光子带隙结构）概念提出以来,就受到了世界许多领域的广泛关注。光子晶体是一种由介电材料或金属周期排列而成的结构,该结构的表面波某一频率范围呈...

论文摘要本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，研究了铁电晶体SrTiO3分别与化合物半导体GaAs和GaP构成的异质结构的电子特性。首先，分析了钛酸锶、砷化镓和磷...

论文摘要本文利用磁控溅射的方法在Si（100）基片上成功沉积了非晶碳膜（a-C）,并对其电输运特性、气压敏感性和气体敏感性进行了较为详细的研究。论文第一部分研究了a-C/Si异...

论文摘要ZnO是一种宽带隙半导体材料（Eg=3．37eV），因其非常优越的光电性能及其在光电子器件中的巨大应用价值而被誉为“二十一世纪半导体”。通常在制备ZnO材料的过程中会产...

论文摘要随着无线通讯技术以及移动通讯系统等的飞速发展,对器件和电路性能的要求越来越高,进而推动人们去不断探索新的材料和研发新结构的器件,以满足未来半导体产业的需求。其中,SiG...

论文摘要以硝酸锌和硝酸钾混合溶液为电解液,采用两电极体系在FTO基片和p-Si（100）衬底上制备了c-轴取向的ZnO薄膜。通过改变电沉积过程的各种参数,获得了具有不同形态和性...

论文摘要本实验采用磁控溅射法（MagnetronSputtering）和溶胶凝胶法（Sol-Gel）在不同衬底材料上,制备含非晶Ti-Al缓冲层的Pb（Zr,Ti）O3（PZT...

论文摘要近年来,Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnO由于具有3.37eV的宽直接带隙、60meV的高激子束缚能、抗辐射能力强、湿化学腐蚀容易和制备工艺相对简单等优点,引起了人们巨大的研究热情。...