异质结论文

论文摘要近年来,纳米金刚石膜（NDF）的生长技术、生长机理及其应用引起了人们巨大的研究热情,成为了目前CVD金刚石膜研究中的热点之一。金刚石具有5.47eV的宽禁带和80meV...

论文摘要光子晶体,又称为光子禁带材料,是将不同介电系数的材料在空间按照一定的周期（尺寸在光波长量级）排列所形成的一种人造“晶体”结构。类似于半导体材料中电子在周期性势场作用下形...

论文摘要掺硼金刚石（BDD）作为电极材料具有众多优点,如电势窗口宽、析氧电位高、背景电流低、抗腐蚀、化学性质稳定等,从而被广泛应用于电化学水处理和污染物的电分析。在水污染监测中...

论文摘要电荷有序是包括高温超导体在内的掺杂Mott绝缘体中的一个普遍存在的现象。在很多高温超导体中,中子散射等实验发现了电荷条纹相的证据。在这种电荷有序模型中,电荷自发汇聚成一...

论文摘要本文采用记忆函数法,分别以Ⅲ-Ⅴ族异质结半导体和Ⅱ-Ⅵ族应变型异质结半导体为研究对象,从理论上讨论半导体单异质结中平行界面方向的电子迁移率及其压力效应.首先以Ⅲ-Ⅴ族A...

论文摘要ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体,在常温下的禁带宽度为3.37eV,由于其在可见光区域有很高的透过率,因此可以成为替代ITO和SnO2等传统透明导电氧化物薄膜（TCO...

论文摘要纳米氧化锌（ZnO）作为一种新型多功能无机材料,在很多领域有着广阔的应用前景,尤其是在与人类生存和健康密切相关的光催化降解有机物污染和抗菌方面有着独特的优势。如何将光催...

论文摘要合理的器件结构设计和材料的选择对提高有机电致发光器件性能至关重要。本文围绕一种周期性多发光层新结构和一种稀土铽配合物新材料两个方面进行,分别讨论了器件性能提高的内在机理...

论文摘要本文采用介电连续模型，计及晶格应变对材料的声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响，利用费米黄金定则讨论了应变闪锌矿型异质结中四支光学声子对电子的散射。考虑真实异...

论文摘要采用固相烧结法和溶胶包覆法制备了Sr(Zr1-xYx)O3-δ-TiO2异质结光催化剂，并以贵金属对其进行了修饰。采用XRD、SEM、IR、TG-DTA、UV-vis等...

论文摘要在利用半导体材料实现光催化和光电转化等过程的探索中发现，降低光生载流子的复合率和提高太阳能的利用率是两个关键因素。研究者采用了多种手段和方法以解决这两个瓶颈因素。本文采...

论文摘要一维硅纳米线（SiNWs）和氧化锌（ZnO）纳米线的制备和特性研究是当今纳米科技最重要的研究热点。如果能将二者结合制备出纳/微米尺度的Si/ZnO异质结,将会对“自下而...

论文摘要ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能（室温下为60meV）,激子增益可达到300cm-1,是一种可能的短波长发光器件材料,在...

论文摘要随着SiC器件广泛而深入的研究，光控碳化硅器件也渐渐地引起人们的研究兴趣。由于禁带宽，SiC光开关只能受控于紫外光源而非常用的可见和红外光源。从实际应用出发，利用SiC...

论文摘要TiO2光催化技术具有重要的应用前景，是国际上广泛研究的课题。鉴于大多数文献主要从化学合成的角度研究光催化过程，本文从TiO2光生载流子迁移过程功效应的角度对TiO2光...

论文摘要近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙（室温下3.37eV）,属于六方纤锌矿结构。由于ZnO具...

论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...

论文摘要热传导现象在我们日常生活中无处不在。从微观动力学角度出发对宏观热现象进行研究不仅是非平衡统计的基本任务之一,同时也是由于近年来半导体微器件材料迅速发展的要求。我们在准一...

论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...

论文摘要本文利用Larsen等人改进的微扰方法,考虑实际异质结势,计及体纵光学声子、两支界面光学声子的影响,从理论上讨论磁场下半导体异质结中极化子朗道能级的基态和第一激发态的能...